隨著PC行業(yè)在國(guó)內(nèi)逐漸普及，個(gè)人家用PC和消費(fèi)級(jí)發(fā)燒PC已經(jīng)不是一種稀奇事了。內(nèi)存作為PC硬件中非常中重要的一部分硬件，扮演了無(wú)可替代的角色。后來(lái)，人們發(fā)現(xiàn)在某些主板BIOS設(shè)置中通過(guò)對(duì)內(nèi)存施加電壓和更改時(shí)序的方法，可以將內(nèi)存頻率提升到一個(gè)新的階段。對(duì)于本就喜歡折騰內(nèi)存的發(fā)燒友而言，這猶如在沙漠中看見(jiàn)一灣綠洲，于是內(nèi)存超頻逐漸被越來(lái)越多的發(fā)燒友注意。

什么是內(nèi)存顆粒

要想超頻內(nèi)存，首先我們需要對(duì)內(nèi)存的顆粒有一個(gè)基本的認(rèn)識(shí)，這樣才能知道自己的內(nèi)存是否可以超頻，能超到什么程度。

目前可以生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的廠(chǎng)商并不多，市面上的內(nèi)存主要以三星、海力士、鎂光三個(gè)廠(chǎng)商為主，每個(gè)顆粒廠(chǎng)商都有不同的顆粒，比如我們?cè)谒阉鲀?nèi)存超頻時(shí)總是會(huì)看到什么B-die、CJR、AFR等都是指的這些廠(chǎng)商的顆粒，想要獲得好的超頻性能，海力士的C-Die顆粒（也就是CJR）、三星的B-die顆粒、部分海力士AFR顆粒、鎂光E-die顆粒都能有非常不錯(cuò)的超頻性能，至于如何檢測(cè)自己的內(nèi)存顆粒，一是可以在內(nèi)存條的貼紙上通過(guò)編號(hào)可以看到，二是通過(guò)臺(tái)風(fēng)軟件可以檢測(cè)，顆粒類(lèi)型一般都會(huì)在PART NUMBER中明確標(biāo)注，下面附帶顆粒廠(chǎng)商的名稱(chēng)：

三星：SAMSUNG

海力士：Hynix

鎂光：Micron

如上圖所示，我的內(nèi)存經(jīng)臺(tái)風(fēng)軟件檢測(cè)后就是海力士生產(chǎn)的AFR顆粒。在確認(rèn)你的內(nèi)存可以有不錯(cuò)的超頻性能后，你還需要一塊好的主板和CPU對(duì)高頻內(nèi)存的支持才行，Intel的CPU如果不帶K的不可超頻CPU，一般默認(rèn)支持到2666MHz，部分新CPU可能支持到2999MHz，如果是帶K的可超頻CPU，也需要搭配Z系列高端主板才可實(shí)現(xiàn)超頻。AMD的CPU一般都能支持到3200MHz內(nèi)存，部分高端CPU可支持到4200MHz，但是AMD的CPU建議超頻到3600-3733MHz為最佳頻段，再高反而會(huì)出現(xiàn)性能倒退的現(xiàn)象。

萬(wàn)事俱備，只欠東風(fēng)，超頻走起~

在確定CPU和主板都支持高頻內(nèi)存后，接下來(lái)我們就是進(jìn)行超頻的準(zhǔn)備工作了，首先進(jìn)入主板的BIOS，一般情況下微星和華碩以及ROG、技嘉的部分主板是開(kāi)機(jī)時(shí)按del鍵進(jìn)入BIOS，華擎的主板一般是開(kāi)機(jī)按F11進(jìn)入BIOS，根據(jù)主板的具體型號(hào)不同，操作可能也會(huì)有所不同，大家可具體百度自己的主板型號(hào)進(jìn)入BIOS的方法。

由于不同的主板操作有差別，我這里以微星B450 MORTAR MAX這塊主板的操作方法為例給大家講解如何超頻內(nèi)存。

進(jìn)入BIOS之后，我們會(huì)看到如下界面：

這是一個(gè)比較簡(jiǎn)單的界面，在這里可以設(shè)置XMP、GAME BOOST等功能，XMP就是主板預(yù)先設(shè)置的內(nèi)存超頻方案，只要內(nèi)存支持都可以直接使用，如果你想手動(dòng)嘗試更高頻率，請(qǐng)關(guān)閉XMP，點(diǎn)擊上方的Advanced或直接按一下F7，會(huì)切換到比較詳細(xì)的BIOS界面，如下圖：

這是比較詳細(xì)的微星BIOS界面，左邊的三個(gè)菜單分別是SETTINGS、OC、M-FLASH菜單，第一個(gè)表示的是一些常規(guī)設(shè)置，第二個(gè)OC全稱(chēng)OverClocking Settings，表示超頻設(shè)置，第三個(gè)則是用于升級(jí)BIOS時(shí)用到的“刷機(jī)模式”，此次我們需要的是OC菜單，點(diǎn)擊可進(jìn)入如下菜單：

在這個(gè)界面上，其中的DRAM SEETING就是我們要設(shè)置內(nèi)存超頻的地方，首先我們可以看到XMP已經(jīng)預(yù)設(shè)了兩個(gè)DDR4 3000的方案，時(shí)序是16-18-18-38，如果你想手動(dòng)設(shè)置，首先第一步在DRAM Frequency菜單中設(shè)置內(nèi)存頻率，（ 不建議一次性設(shè)置太高，比如你的內(nèi)存是3000MHz，建議先設(shè)置3200MHz這樣一點(diǎn)一點(diǎn)試），設(shè)置好頻率后，鼠標(biāo)往下滑，找到Voltage Setting（如下圖），這個(gè)是給內(nèi)存增加電壓的地方，其中DRAM Vlotage就是指內(nèi)存電壓，如果你超頻很高的話(huà)，需要增加一些電壓才能保證穩(wěn)定，一般也是建議一點(diǎn)點(diǎn)加，比如1.35V-1.40V這樣。

內(nèi)存電壓界面

在設(shè)置好電壓和內(nèi)存頻率之后，接下來(lái)就是前往內(nèi)存時(shí)序的配置部分，一張C16的內(nèi)存，有可能直接使用默認(rèn)時(shí)序上高頻，也有可能會(huì)失敗，因此在確保電壓沒(méi)問(wèn)題的情況下，就是對(duì)時(shí)序進(jìn)行配置，找到DRAM Setting中的Advanced DRAM Configuration（上圖紅色圈住的選項(xiàng)），打開(kāi)后如下圖：

這個(gè)界面即可對(duì)內(nèi)存的主時(shí)序、副時(shí)序進(jìn)行配置，我們一般是配置上面的主時(shí)序。假如你的內(nèi)存是C16的時(shí)序，開(kāi)不了機(jī)，可適當(dāng)放寬時(shí)序，比如放到C18然后再進(jìn)行嘗試。比如我這張條子原來(lái)是16-18-18-38的時(shí)序，超到3600需要16-19-19-38這樣的時(shí)序，也可以通過(guò)大佬分享的一些時(shí)序配置表，結(jié)合自己的內(nèi)存超頻，完成以后按F10保存退出即可。

超頻失敗怎么辦

如果你本次內(nèi)存超頻失敗了，顯示器黑屏無(wú)反應(yīng)，這時(shí)候千萬(wàn)不要慌亂，可打開(kāi)機(jī)箱，把BIOS電池扣下來(lái)靜置幾分鐘，然后重新裝回去即可。這個(gè)操作是清空目前的BIOS設(shè)置，恢復(fù)到出廠(chǎng)默認(rèn)狀態(tài)，然后自己再慢慢折騰即可。

內(nèi)存超頻并沒(méi)有一個(gè)籠統(tǒng)的方案，因?yàn)轭w粒和體質(zhì)不同，能超的頻率也不同，大家根據(jù)自己的內(nèi)存信息點(diǎn)到為止即可，AMD用戶(hù)也不要一味追求高頻內(nèi)存，因?yàn)?600MHz-3733MHz是和AMD CPU能完美契合的最佳頻率，Intel用戶(hù)的話(huà)，只要你的主板和內(nèi)存以及CPU支持，用力超吧~