內(nèi)存關(guān)系到可同時(shí)打開(kāi)的軟件數(shù)量，以及在使用軟件時(shí)，軟件的運(yùn)行速度。

內(nèi)存可按照平臺(tái)和代數(shù)進(jìn)行選擇。

以平臺(tái)分

筆記本內(nèi)存

臺(tái)式機(jī)內(nèi)存

以代數(shù)分

現(xiàn)在主流是DDR4，不過(guò)現(xiàn)在還存在大量插著DDR3內(nèi)存得電腦。

分辨代數(shù)主要可以依靠標(biāo)簽，也可以依靠?jī)?nèi)存上的缺口

簡(jiǎn)單分辨的方法就是，DDR3的缺口明顯靠近一邊，而DDR4的缺口則趨于在中間。

隨著支持DDR3內(nèi)存的設(shè)備不斷減少，DDR3內(nèi)存在逐漸退出市場(chǎng)。

內(nèi)存選購(gòu)

在確定平臺(tái)和代數(shù)之后，就要選擇內(nèi)存頻率。

對(duì)于DDR4內(nèi)存而言，其頻率是2133起跳，目前常見(jiàn)的頻率是2133、2400、2666。容量最低8G，理論單挑最高128G。

具體選擇那種就需要看CPU和主板的兼容哪一種。

對(duì)于內(nèi)存挑選時(shí)，還會(huì)聽(tīng)到要挑選內(nèi)存的時(shí)序

時(shí)序即內(nèi)存CL值，一般采用4個(gè)沒(méi)有單位的純數(shù)字并用-分割來(lái)表示。例如15-14-14-32

第一個(gè)數(shù)代表CAS延遲時(shí)間即CL值，內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間，也是內(nèi)存接收到第一條指令后要等待多少個(gè)時(shí)間周期才能繼續(xù)執(zhí)行。是內(nèi)存超頻時(shí)最重要的指標(biāo)。

第二個(gè)數(shù)RAS to CAS延遲，內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間

第三個(gè)數(shù)RAS Prechiarge時(shí)間，內(nèi)存行地址脈沖預(yù)充電時(shí)間

第四個(gè)數(shù)RAS ACtive時(shí)間，內(nèi)存行地址激活時(shí)間

越低的時(shí)序代表顆粒體質(zhì)越好，超頻的潛力也就越大。

內(nèi)存的時(shí)序會(huì)隨著頻率的增加而增加，內(nèi)存的延遲可以用下面的公式來(lái)計(jì)算：

內(nèi)存延時(shí)=（CLx 2000 ）/內(nèi)存頻率。

例如：DDR4 2133 CL值為15

（CL15*2000）/2133=14ns

所以內(nèi)存的時(shí)序會(huì)隨著頻率的增加而增加，但最后內(nèi)存的延時(shí)并沒(méi)有太大的變化。 頻率相同時(shí)，時(shí)序越低，延遲也就越小。 同樣，時(shí)序相同時(shí)，頻率越高，延遲也就越小。

內(nèi)存雙通道

雙通道就是同時(shí)安裝兩個(gè)內(nèi)存使用，需要主板上有兩個(gè)以上內(nèi)存插槽。

理論上，雙通內(nèi)存沒(méi)有品牌要求，沒(méi)有容量對(duì)等要求。但，最好是同品牌同容量同頻率。

雙通道設(shè)置細(xì)節(jié)

設(shè)置雙通道無(wú)需任何操作

容量不用一樣，容量自動(dòng)疊加

頻率不用一樣，以低頻率的內(nèi)存為實(shí)際頻率

雙通道最低兩根內(nèi)存，但內(nèi)存數(shù)量無(wú)需偶數(shù)，奇數(shù)也可以